Gros coup pour Samsung Electronics avec ce qui augure les prochains kits mémoire de 32 Go (voire plus) en DDR4. En effet le constructeur a lancé la production des puces 8 Gb gravées en 20 nm.
« Our new 20 nm 8 Gb DDR4 DRAM more than meets the high performance, high density and energy efficiency needs that are driving the proliferation of next-generation enterprise servers, » said Jeeho Baek, Vice President of Memory Marketing at Samsung Electronics. « By expanding the production of our 20 nm DRAM line-ups, we will provide premium, high-density DRAM products, while handling increasing demand from customers in the global premium enterprise market. »
On se calme, on ne parle pas pour le moment de technologie destinée au grand public, du moins pas pour le moment. Non, derrière cette avancée se cache le marché des serveurs d’entreprise. Et les tests semblent montrer un taux de transfert de données jusqu’à 2400 mégabits par seconde (Mbps), soit un gain plus que remarquable par rapport aux 1.866 Mbps de bande passante de ce qu’offrait la DDR3 pro.
Mais la consommation n’est pas oubliée puisqu’il est question de seulement 1,2 V au niveau de la tension, un gain plus qu’appréciable dans un moment où chaque économie est la bienvenue.
